该芯片表面的清洗方法依次包括以下步骤：

预清洗：用去离子水利用超声波清洗器对芯片进行预清洗，去离子水的温度为50～60度，具体地，该超声波的功率为30W，频率为50KHz。

碱洗：芯片置于碱性溶液中利用超声波进行清洗，碱性溶液的温度为80～90度，较佳地，该碱性溶液可为氢氧化钠溶液，浓度为2％～5％，清洗时间为5～10分钟，在此步骤中，氢氧化钠溶液的温度不宜过高，如20～25度为佳。超声波的功率为20W，频率为40KHz。

有机溶剂清洗：芯片置于异丙醇和水的混合液中利用超声波进行清洗，时间为5～10分钟，超声波的功率在20～30W，频率为40KHz～50KHz。该步骤可有效溶剂去除芯片表面的有机残留物。

酸洗：配制柠檬酸和去离子水的混合液，混合液的pH值为5～6。芯片被置于到该酸性溶液中，借助超声波振荡清洗技术，使芯片表面快速进行中和反应。

去离子水漂洗：用去离子水漂洗该芯片，漂洗时间为20～30分钟，经过漂洗，芯片表面的酸液、碱液等清洗液残留被漂洗干净。

碳氢清洗：在上一步的去离子水中加入碳氢溶剂，继而排除去离子水。

热焓干燥：将芯片从清洗溶液中取出并进行热焓干燥，该工序利用温度压力的变化，降低芯片上的焓值，使残留液快速蒸发。